Vyhláška Ministerstva průmyslu a obchodu, kterou se provádí zákon č. 21/1997 Sb., o kontrole vývozu a dovozu zboží a technologií podléhajících mezinárodním kontrolním režimům

1. h. Iontová implantace je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu, při němž se prvek, kterým se má legovat, ionizuje, urychluje v gradientu potenciálu a implantuje do povrchové vrstvy podkladového substrátu. Patří sem procesy, v nichž se iontová implantace provádí současně s naprašováním nebo fyzikálním nanášením v parní fázi za pomoci elektronového paprsku.

1. 2E101 "Technologie" potřebná pro "použití" zařízení nebo "software" podléhajících kontrole podle položek 2B004, 2B104, 2B115, 2B116 nebo 2D101.
2. 2E201 "Technologie" potřebná pro "použití" zařízení nebo "software" podléhajících kontrole podle položek 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B204, 2B207, 2B215, 2B225 až 2B232 nebo 2D201.
3. 2E301 "Technologie" potřebná pro "použití" zboží kontrolovaného položkami 2B350 až 2B352.

KATEGORIE 3 - ELEKTRONIKA

3A ZAŘÍZENÍ, MONTÁŽNÍ CELKY A KOMPONENTY

1. 1. Zařízení, montážní celky a komponenty uvedené v odstavcích 3A001 nebo 3A002 jiné než v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10. nebo 3A001.a.12., přičemž jsou speciálně navrženy pro jiná zařízení nebo pokud mají stejné funkční charakteristiky jako tato jiná zařízení, podléhají kontrolnímu režimu podle těchto jiných zařízení.
2. 2. Integrované obvody popsané v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.9. nebo 3A001.a.12., které jsou pevně naprogramovány nebo navrženy pro specifické funkce pro jiná zařízeni, podléhají kontrolnímu režimu podle těchto jiných zařízení.
3. Věcná poznámka:

Pokud nelze určit kontrolní režim zmíněných jiných zařízení, kontrolní režim integrovaných obvodů se řídí zněním položek 3A001.a.3. až 3A001.a.9. nebo 3A001.a.12. Pokud je integrovaný obvod na křemíkové podložce charakterizován jako "mikropočítačový mikroobvod" nebo mikroregulátorový mikroobvod popsaný v položce v 3A001.a.3. a má délku slova operandů resp. dat 8 bitů nebo méně, podléhají kontrolnímu režimu podle 3A001.a.3..

1. 3A001 Elektronická zařízení a součásti.
   1. a. Tyto univerzální integrované obvody:
   2. Poznámka 1:

   Kontrolni režim polovodičových destiček (dokončených nebo i nedokončených) s určenou funkcí je stanoven položkou 3A001.a..

   3. Poznámka 2:

   Do integrovaných obvodů patří tyto typy:

   1. " Monolitické integrované obvody";
   2. "Hybridní integrované obvody";
   3. "Vícečipové integrované obvody";
   4. "Integrované obvody vrstvového typu" včetně křemíkových obvodů na safírové podložce;
   5. "Optické integrované obvody".
      1. 1. Integrované obvody, navržené nebo klasifikované jako radiačně odolné, které vydrží:
         1. a. Celkovou radiační dávku 5000 grayů (Si) [5 x 10⁵ rad (Si)] nebo vyšší; nebo
         2. b. Rychlost dávky 5 MGy/s (Si) [5x10⁸ rad/s (Si)] nebo vyšší;
      1. 2. "Mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody", mikroregulátorové mikroobvody, elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti ('EEPROM'), statické paměti s náhodným výběrem ('SRAM'), vyrovnávací paměti 'flash', paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově číslicové a číslicově analogové převodníky, elektro-optické nebo "optické integrované obvody" pro "zpracování signálu", programovatelná hradlová pole, programovatelná logická pole, integrované obvody neuronových sítí, zákaznické integrované obvody, jejichž funkce není známá nebo nelze určit, zda zařízení jejich konečného užití podléhá kontrole, nebo procesory pro rychlou Fourierovu transformaci ('FFT'), takové, které:
         1. a. Jsou určeny k provozu při okolní teplotě nad 398 K (+125 °C);
         2. b. Jsou určeny k provozu při okolní teplotě pod 218 K (-55 °C); nebo
         3. c. Jsou určeny k provozu v celém intervalu okolních teplot od 218 K (-55 °C) do 398 K (+125 °C);
      2. Poznámka:

      Položka 3A001.a.2. neplatí pro integrované obvody pro civilní automobily nebo pro aplikace v železniční dopravě;

      1. 3. "Mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody" a mikroregulátorové mikroobvody, které mají některou z těchto charakteristik:
   6. Poznámka:

   Do 3A001.a.3. patří číslicové signálové procesory, číslicové maticové procesory a číslicové koprocesory.

   1. a. "Složený teoretický výkon" ('CTP') 260 Mtops (milionů teoretických operací za sekundu) nebo více a zároveň aritmeticko-logickou jednotku s přístupovou šířkou 32 bitů nebo více;
   2. b. Jsou vyrobeny ze složených polovodičů a pracují při hodinových frekvencích převyšujících 40 MHz; nebo
   3. c. Více než jednu datovou nebo instrukční sběrnici nebo sériový komunikační vstupní kanál pro vnější propojení v rámci paralelního procesoru s přenosovou rychlostí větší než 2,5 MByte/s;
   1. 4. Paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů;
   2. 5. Integrované obvody analogově číslicových a číslicově analogových převodníků, a to:
      1. a. Analogově číslicové převodníky, které mají některou z těchto charakteristik:
         1. 1. Rozlišeni 8 bitů nebo větší, ale menší než 12 bitů, s celkovou dobou převodu na maximální rozlišení menší než 10 ns;
         2. 2. Rozlišení 12 bitů s celkovou dobou převodu na maximální rozlišení menši než 200 ns; nebo
         3. 3. Rozlišení větší než 12 bitů s celkovou dobou převodu na maximální rozlišeni menší než 2 mikrosekundy;
      1. b. Číslicově analogové převodníky s rozlišením 12 bitů nebo větším a "dobou ustálení" menší než 10 ns;
   1. 6. Elektro-optické a "optické integrované obvody" pro "zpracováni signálu", které mají všechny tyto charakteristiky:
      1. a. Jednu nebo více vnitřních "laserových" diod;
      2. b. Jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci světla; a zároveň
      3. c. Optické vlnovody;
   1. 7. Uživatelem programovatelná hradlová pole ('FPGA'), která mají některou z těchto charakteristik:
      1. a. Ekvivalentní počet využitelných hradel větší než 30 000 (dvouvstupová hradla); nebo
      2. b. Typickou "dobu zpoždění základního hradla" menší než O,4 ns;
   1. 8. Uživatelem programovatelná logická pole ('FPLA'), která mají některou z těchto charakteristik:
      1. a. Ekvivalentní počet využitelných hradel větší než 30 000 (dvouvstupová hradla); nebo
      2. b. Překlápěcí kmitočet větší než 133 MHz;
   1. 9. Integrované obvody neuronových sítí;
   2. 10. Zákaznické integrované obvody, jejichž funkce není známá nebo výrobci není známo, zda zařízení jejich konečného užití podléhá kontrole, které mají některou z těchto charakteristik:
      1. a. Více než 208 vývodů;
      2. b. Typickou "dobu zpoždění základního hradla" menší než 0,35 ns; nebo
      3. c. Pracovní kmitočet větší než 3 GHz;
   1. 11. Číslicové integrované obvody jiné než popsané v 3A001.a.3. až 3A001.a.10. nebo 3A001.a.12., které jsou založeny na jakémkoliv složeném polovodiči a které mají některou z těchto charakteristik:
      1. a. Ekvivalentní počet hradel větší než 300 (dvouvstupová hradla); nebo
      2. b. Překlápěcí kmitočet větší než 1,2 GHz;
   1. 12. Procesory pro rychlou Fourierovu transformaci ('FFT'), které mají některou z těchto charakteristik:
      1. a. Provádějí 1024 bodovou komplexní 'FFT' za méně než 1 milisekundu;
      2. b. Provádějí N bodovou komplexní 'FFT' (pokud je N různé od 1024) za méně než N.log₂(N/10240) ms, kde N je počet bodů; nebo
      3. c. Provádějí motýlkové operace ('butterfly') s frekvencí vyšší než 5,12 MHz;
   1. b. Mikrovlnná zařízení nebo zařízení pracující s milimetrovými vlnami:
      1. 1. Vakuové elektronky a jejich katody:
      2. Poznámka:

      Položka 3A001.b.1. nekontroluje elektronky navržené nebo konstruované pro činnost v civilních telekomunikačnich pásmech přidělených podle ITU při kmitočtech nepřesahujících 31 GHz.

      1. a. Elektronky s postupnou vlnou, impulsovou nebo trvalou vlnou, s těmito charakteristikami:
         1. 1. Pracující při kmitočtech vyšších než 31 GHz;
         2. 2. Mající topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý 'RF' výkon méně než 3 sekundy;
         3. 3. Elektronky s vázanou dutinou, nebo jejich deriváty s "okamžitou šířkou pásma" více než 7 % nebo špičkovým výkonem převyšujícím 2,5 kW;
         4. 4. Elektronky s postupnou vlnou a elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z těchto charakteristik:
            1. a. "Okamžitou šířku pásma" větší než 1 oktáva při součinu jmenovitého průměrného výkonu (v kW) a maximálního pracovního kmitočtu (v GHz) větším než 0,5;
            2. b. "Okamžitou šířku pásma" menší nebo rovnu 1 oktávě při součinu jmenovitého průměrného výkonu (v kW) a maximálního pracovního kmitočtu (v GHZ) větším než 1; nebo
            3. c. Jsou "vhodné pro kosmické aplikace";
      1. b. Zesilovací elektronky se zkříženými poli o zisku větším než 17 dB;
      2. c. Impregnované katody pro elektronky, které mají některou z těchto charakteristik:
         1. 1. Dobu náběhu na jmenovitou emisi menší než 3 sekundy; nebo
         2. 2. Produkují trvalou emisní proudovou hustotu při jmenovitých pracovních podmínkách, která je větší než 5 A/cm²;
      1. 2. Mikrovlnné integrované obvody nebo moduly, které obsahují "monolitické integrované obvody" pracující při kmitočtech větších než 3 GHz;
      2. Poznámka:

      Položka 3A001.b.2. nekontroluje obvody nebo moduly pro zařízení pracující výlučně v civilních telekomunikačních pásmech přidělených podle ITU při kmitočtech nepřesahujících 31 GHz.

      1. 3. Mikrovlnné tranzistory navržené pro provoz při kmitočtech přesahujících 31 GHz;
      2. 4. Mikrovlnné zesilovače v pevné fázi:
         1. a. S pracovními kmitočty vyššími než 10,5 GHz, přičemž mají "okamžitou šířku pásma" větší než je polovina oktávy; nebo
         2. b. S pracovními kmitočty vyššími než 31 GHz;
      1. 5. Elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové propustě nebo zdrže, které mají více než 5 laditelných rezonátorů s možností ladění 1,5:1 přes kmitočtové pásmo (f_max/f_min) za méně než 10 mikrosekund; a zároveň
         1. a. S šířkou pásma propustě více než 0,5 % středového kmitočtu; nebo
         2. b. S šířkou pásma zdrže méně než 0,5 % středového kmitočtu;
      1. 6. Mikrovlnné montážní celky schopné pracovat při kmitočtech větších než 31 GHz;
      2. 7. Směšovače a konvertory navržené k rozšíření funkčního pásma zařízení popsaných v 3A002.c., 3A002.e. nebo 3A002.f. nad tam uvedené meze;
      3. 8. Mikrovlnné výkonové zesilovače s elektronkami podle 3A001.b. a zároveň se všemi těmito charakteristikami:
         1. a. Pracovní kmitočet nad 3 GHz;
         2. b. Poměrnou hustotu výkonu přesahující 80 W/kg; a zároveň
         3. c. Objem menší než 400 cm³;
      4. Poznámka:

      Položka 3A001.b.8. nekontroluje zařízení navržené nebo konstruované pro provoz v civilních telekomunikačních pásmech přidělených podle ITU.

   1. c. Tato zařízení s akustickou vlnou a jejich speciálně konstruované součásti:
      1. 1. Zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou (tj. zařízení na "zpracování signálu", která používají elastické vlny v materiálech), která mají některou z těchto charakteristik:
         1. a. Nosný kmitočet větší než 2,5 GHz;
         2. b. Nosný kmitočet přesahující 1 GHz, ale ne větší než 2,5 GHz; a zároveň s některou z těchto charakteristik:
            1. 1. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB;
            2. 2. Součin maximální doby zpoždění (v mikrosekundách) a šířky pásma (v MHz) větší než 100;
            3. 3. Šířku pásma větší než 250 MHz; nebo
            4. 4. Disperzní zpoždění větší než 10 mikrosekund; nebo
         1. c. Nosný kmitočet 1 GHz nebo nižší a zároveň s některou z těchto charakteristik:
            1. 1. Součin maximální doby zpoždění (v mikrosekundách) a šířky pásma (v MHz) větší než 100;
            2. 2. Disperzní zpoždění větší než 10 mikrosekund; nebo
            3. 3. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB a zároveň šířku pásma větší než 50 MHz;
      1. 2. Zařízení s prostorovou akustickou vlnou (tj. zařízení na "zpracování signálu", která používají elastické vlny), jež dovolují přímé zpracování signálů při kmitočtech větších než 1 GHz;
      2. 3. Akusticko-optická zařízení na "zpracování signálu", která používají interakci mezi akustickými vlnami (prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami dovolující přímé zpracování signálů nebo obrazů, včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce;
   1. d. Elektronická zařízení a přístroje nebo obvody obsahující součástky vyrobené ze "supravodivých" materiálů speciálně určených pro činnost při teplotách pod "kritickou teplotou" alespoň jedné ze "supravodivých" složek, které mají některou z těchto charakteristik:
      1. 1. Elektromagnetické zesílení:
         1. a. Při kmitočtech maximálně 31 GHz s šumovým číslem menším než 0,5 dB; nebo
         2. b. Při kmitočtech přesahujících 31 GHz;
      1. 2. Spínání proudu pro číslicové obvody používající "supravodivá" hradla se součinem doby zpoždění na jedno hradlo (v sekundách) a výkonové ztráty na jedno hradlo (ve wattech) (tzv. energetický součin) menším než 10^-14J; nebo
      2. 3. Frekvenční selekci při všech kmitočtech, kde jsou použity rezonanční obvody, odpovídající činiteli jakosti Q přes 10 000;
   1. e. Vysokoenergetická zařízení, a to:
      1. 1. Baterie:
      2. Poznámka:

      Položka 3A001.e.1. nekontroluje baterie s objemem maximálně 27 cm³ (například standardní C články nebo baterie R14).

      1. a. Primární články a baterie, které mají hustotu energie přesahující 480 Wh/kg a jsou určeny pro provoz v teplotním rozmezí od méně než 243 K (-30 °C) do více než 343 K (+70 °C);
      2. b. Opakovaně nabíjitelné články a baterie, které mají hustotu energie větší než 150 Wh/kg po 75 cyklech nabití/vybití při vybíjecím proudu C/5 hodin (kde C je jmenovitá kapacita v ampérhodinách), když pracují v teplotním rozmezí od méně než 253 K (-20 °C) do více než 333 K (+60 °C);
      3. Technická poznámka:

      Hustota energie se získá násobením průměrného výkonu ve wattech (průměrné napětí ve voltech krát průměrný proud v ampérech) dobou vybíjení (v hodinách) na 75% napětí naprázdno a vydělením celkovou hmotností článku (nebo baterie) v kilogramech.

      1. c. "Vhodná pro kosmické aplikace" a radiačně odolná pole fotočlánků s měrným výkonem přesahujícím 160 W/m² při pracovní teplotě 301 K (+28 °C) při osvětlení wolframovou žárovkou o teplotě vlákna 2 800 K (2 527 °C) a světelném toku 1 kW/m²;
      1. 2. Vysokoenergetické akumulační kondenzátory:
         1. (Viz též položka 3A201.a.)
         2. a. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem méně než 10 Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které mají všechny tyto charakteristiky:
            1. 1. Jmenovité napětí minimálně 5 kV;
            2. 2. Hustotu energie minimálně 250 J/kg; a zároveň
            3. 3. Celkovou energii minimálně 25 kJ;
         1. b. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem minimálně 10 Hz, které mají všechny tyto charakteristiky:
            1. 1. Jmenovité napětí minimálně 5 kV;
            2. 2. Hustotu energie minimálně 50 J/kg;
            3. 3. Celkovou energii minimálně 100 J; a zároveň
            4. 4. Životnost minimálně 10 000 cyklů nabití/vybití;
      1. 3. "Supravodivé" elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované k plnému nabití nebo vybití za méně než jednu sekundu, které mají všechny tyto charakteristiky:
         1. (Viz též položka 3A201.b.)
         2. a. Energii dodanou během vybití alespoň 10 kJ během první sekundy;
         3. b. Vnitřní průměr vinutí vedoucích proud větší než 250 mm; a zároveň
         4. c. Jsou určeny pro magnetickou indukci větší než 8 T nebo "celkovou proudovou hustotu" ve vinutí větší než 300 A/mm²;
      2. Poznámka:

      Položka 3A001.e.3. nekontroluje "supravodivé" elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované pro lékařská zobrazovací zařízení na principu magnetické rezonance ('MRI').

   1. f. Snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele, které mají některou z těchto charakteristik:
      1. 1. Rozlišení lepší než 1/265 000 (rozlišení 18 bitů) z celého rozsahu stupnice; nebo
      2. 2. Přesnost lepší než ± 2,5 úhlové vteřiny.

3AO02 Univerzální elektronická zařízení;

1. a. Dále uvedená záznamová zařízení a pro ně speciálně konstruované zkušební pásky:
   1. 1. Analogová přístrojová záznamová magnetopásková zařízení včetně zařízení umožňujících záznam číslicových signálů (například za použití modulu s vysokou hustotou číslicového záznamu - 'HDDR'), které mají jakoukoliv z těchto charakteristik:
      1. a. Šířku pásma větší než 4 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu;
      2. b. Šířku pásma větší než 2 MHz na jeden elektronický kanál nebo jednu stopu a které mají více než 42 stop; nebo
      3. c. Chybu (základní) časového posunu, měřenou v souladu s příslušnými dokumenty 'IRIG' ('Inter Range Instrumentation Group' ) nebo 'EIA' ('Electronic Industries Association'), menší než ± 0,1 mikrosekundy;
   2. Poznámka:

   Analogová záznamová zařízení speciálně konstruovaná pro civilní videozáznam nejsou považována za přístrojová záznamová zařízení.

   1. 2. Číslicové videorekordéry s magnetickou páskou, které mají maximální přenosovou rychlost na číslicovém rozhraní větší než 180 Mbit/s;
      1. kromě:
      2. Těch, které jsou speciálně konstruovány pro televizní záznam podle normy nebo doporučení 'CCIR' ('International Radio Consultative Committee') nebo 'IEC' ('International Technical Commission') pro civilní televizní aplikace;
   1. 3. Číslicová přístrojová magnetopásková zařízení, která využívají techniku spirálového snímání nebo techniku pevných hlav a mají některou z těchto charakteristik:
      1. a. Přenosovou rychlost číslicového rozhraní přesahující 175 Mbit/s; nebo
      2. b. Jsou "vhodné pro kosmické aplikace";
   2. Poznámka:

   Položka 3A002.a.3. nekontroluje analogová záznamová zařízení vybavená převodní elektronikou typu 'HDDR' v konfiguraci pro záznam pouze číslicových dat.

   1. 4. Zařízení s přenosovou rychlostí číslicového rozhraní větší než 175 Mbit/s, která jsou určena k tomu, aby umožnila použití číslicových videorekordérů s magnetickou páskou jako číslicových přístrojových zařízení pro záznam dat;
   2. 5. Digitizéry vlnových průběhů a záznamová zařízení přechodových dějů, splňující obě tyto charakteristiky:
      1. (Viz též položka 3A202)
      2. a. Rychlost digitalizace alespoň 200 milionů vzorků za sekundu při rozlišení nejméně 10 bitů; a zároveň
      3. b. Spojitý přenos alespoň 2 Gbit/s;

1. b. "Elektronické sestavy" "kmitočtových syntetizátorů", které mají "dobu přepínání kmitočtu" z jednoho kmitočtu na druhý menší než 1 ms;
2. c. "Analyzátory signálu":
   1. 1. Schopné analyzovat kmitočty větší než 31 GHz; nebo
   2. 2. "Dynamické analyzátory signálu" s "šířkou pásma v reálném čase" přesahující 25,6 kHz;
   3. Poznámka:

   Položka 3A002.c.2. nekontroluje takové "dynamické analyzátory signálu", které používají pásmové filtry s konstantním procentem.

   4. Technická poznámka:

   Pásmové filtry s konstantním procentem jsou známy také jako oktávové filtry nebo filtry se zlomky oktáv.

1. d. Generátory signálů na bázi syntetizátorů kmitočtu produkující výstupní kmitočty, jejichž přesnost a krátkodobá a dlouhodobá stabilita jsou řízeny vnitřním hlavním kmitočtem, nebo jsou od něj odvozeny či jsou jím modifikovány, a které mají některou z těchto charakteristik:
   1. 1. Maximální syntetizovaný kmitočet přesahující 31 GHz;
   2. 2. "Dobu přepínání kmitočtu" z jednoho kmitočtu na druhý menší než 1 ms; nebo
   3. 3. Fázový šum s jedním postranním pásmem ('SSB') lepší než -(126 + 20 log₁₀F - 20 log₁₀f) v dBc/Hz, kde F je posun od pracovního kmitočtu v Hz a f je pracovní kmitočet v MHz;
2. Poznámka:

Položka 3A002.d. nekontroluje zařízení, v němž je výstupní kmitočet buď produkován sečtením nebo odečtením dvou nebo vice krystalem řízených kmitočtů nebo jejich sečtením či odečtením, po kterém se výsledek násobí.

1. e. Síťové analyzátory s maximálním pracovním kmitočtem přesahujícím 40 GHz;
2. f. Mikrovlnné zkušební přijímače, které mají obě tyto charakteristiky:
   1. 1. Maximální pracovní kmitočet větší než 40 GHz,
   2. 2. Schopnost měřit současně amplitudu a fázi;

1. g. Atomové kmitočtové normály, které mají některou z těchto charakteristik:
   1. 1. Mají dlouhodobou stabilitu (stárnutí) menší (lepší) než 1 x 10^-11/měsíc; nebo
   2. Poznámka:

   Položka 3A002.g.1. nekontroluje rubidiové normály, které nejsou "vhodné pro kosmické aplikace".

   1. 2. Jsou "vhodné pro kosmické aplikace";

1. 3A101 Elektronická zařízení, přístroje a součásti, jiné než uvedené v položce 3A001:
   1. a. Analogově digitální převodníky, použitelné v raketách, navržené tak, aby splňovaly vojenské specifikace pro práci ve ztížených podmínkách;
   2. b. Urychlovače schopné dodávat elektromagnetické záření produkované brzdným zářením z urychlených elektronů 2 MeV nebo více a systémy obsahující tyto urychlovače.
   3. Poznámka:

   Položka 3A101.b. nezahrnuje zařízení speciálně navržená pro lékařské účely.

1. 3A201 Elektronické součásti, jiné než uvedené v položce 3A001:
   1. a. Kondenzátory s těmito charakteristikami:
      1. 1. Pracovní napětí větší než 1,4 kV, uchovaná energie větší než 10 J, kapacita větší než 500 nF a sériová induktance menší než 50 nH; nebo
      2. 2. Pracovní napětí větší než 750 V, kapacita větší než 250 nF a sériová induktance menší než 10 nH;
   1. b. Supravodivé solenoidní elektromagnety se všemi uvedenými charakteristikami:
      1. 1. Schopné vytvořit magnetické pole větší než 2 T (20 kilogauss);
      2. 2. S poměrem L/D (délka dělená vnitřním poloměrem) větším než 2;
      3. 3. S vnitřním průměrem větším než 300 mm; a zároveň
      4. 4. S rovnoměrností magnetického pole lepší než 1 % na středových 50 % vnitřního objemu;
   2. Poznámka:

   Položka 3A201.b. se nevztahuje na magnety speciálně konstruované a exportované jako součásti lékařských snímkovacích systémů s nukleární magnetickou rezonancí ('NMR'). Přitom "jako součásti" nemusí nezbytně znamenat fyzickou součást v rámci stejné dodávky. Separátní dodávky z různých zdrojů jsou povoleny za předpokladu, že příslušná exportní dokumentace jasně vymezuje vztah těchto dodávek "jako součástí" snímkovacího systému.

   1. c. Zábleskové rentgenové generátory nebo pulsní elektronové urychlovače s energetickými maximy 500 keV nebo většími;
      1. kromě:
      2. Urychlovačů, které jsou součástí zařízení určených pro jiné účely než rentgenové záření nebo elektronový paprsek (např. elektronový mikroskop) a zařízení určená pro lékařské účely:
      3. 1. Urychlovače mající maximum energie elektronů 500 keV nebo větší, avšak menší než 25 MeV a s účinností (K) 0,25 nebo vyšší, kde K je definováno takto:
         1. kde V je maximální elektronová energie v megaelektronvoltech a Q je celkový urychlený náboj v coulombech, jestliže doba trvání pulsu paprsku urychlovače je menší nebo rovna 1 mikrosekundě; pokud doba trvání pulsu paprsku urychlovače je větší než 1 mikrosekunda, představuje Q maximální urychlený náboj v jedné mikrosekundě [Q je rovno integrálu i podle t pro dobu méně než 1 mikrosekunda nebo dobu trvání pulsu (Q = integrál idt), kde i je proud paprsku v ampérech a t je doba v sekundách]; nebo
      1. 2. Urychlovače mající maximum energie elektronů 25 MeV a větší a špičkový výkon větší než 50 MW [špičkový výkon = (špičkové napětí ve voltech) x (špičkový proud paprsku v ampérech)].
   2. Technická poznámka:
   1. a. Doba trváni pulsu paprsku - v zařízeních založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je to doba menší než 1 mikrosekunda nebo doba trvání dávky svazku paprsků vyvolaných jedním pulsem mikrovlnného modulátoru.
   2. b. Špičkový proud paprsku - v zařízeních založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je to průměrný proud po dobu trvání dávky svazku paprsků.

1. 3A202 Osciloskopy a záznamová zařízení přechodových dějů jiné než uvedené v položce 3A002.a.5., a jejich speciálně konstruované součásti:
   1. a. Nemodulární analogové osciloskopy o šířce pásma 1 GHz nebo větší;
   2. b. Modulární analogové osciloskopické systémy mající některou z těchto charakteristik:
      1. 1. Hlavní modul se šířkou pásma 1 GHz nebo větší; nebo
      2. 2. Připojitelné moduly s individuální šířkou pásma 4 GHz nebo větší;
   1. c. Analogové vzorkovací osciloskopy pro analýzu opakujících se jevů s efektivní šířkou pásma větší nei 4 GHz;
   2. d. Digitální osciloskopy a záznamová zařízení přechodových dějů používající techniku konverze analogových údajů na digitální, schopné uchování přechodových dějů sekvenčním vzorkováním jednosnímkových vstupů v následných intervalech menších než 1 ns (více než 1 x 10⁹ vzorků za sekundu), s digitalizací na rozlišení 8 bitů nebo větší a uchovávající 256 nebo více vzorků.
   3. Poznámka:

   Speciálně konstruované součásti specifikované touto položkou pro analogové osciloskopy:

   1. 1. Výměnné jednotky;
   2. 2. Přídavné zesilovače;
   3. 3. Předzesilovače;
   4. 4. Vzorkovací jednotky;
   5. 5. Zobrazovací jednotky.
   4. Technická poznámka:

   Šířka pásma je zde definována jako rozsah frekvencí, při němž odchylka na katodové paprskové trubici neklesne pod 70,7 % maxima měřeného s konstantním napětím na vstupu zesilovače osciloskopu.

1. 3A225 Frekvenční měniče (konvertory nebo invertory) nebo generátory, jiné než uvedené v položce OB001.c.11. a které mají všechny tyto charakteristiky:
   1. a. Vícefázový výstup s výkonem 40 W nebo větším;
   2. b. Schopné provozu při frekvenčním rozsahu 600 až 2000 Hz;
   3. c. Celkové harmonické zkreslení menší než 10 %; a zároveň
   4. d. Řízení kmitočtu lepší než 0,1 %.

1. 3A226 Zdroje stejnosměrného proudu o vysokém výkonu, jiné než uvedené v položce OB001.j.6., schopné nepřetržitého provozu déle než 8 hodin při napětí 100 V nebo větší a výstupním proudu 500 A nebo větší, s regulací proudu a napětí lepší než 0,1%.
2. 3A227 Zdroje stejnosměrného proudu o vysokém napětí, jiné než uvedené v položce OB001.j.5., schopné nepřetržitého provozu déle než 8 hodin při napětí 20 000 V nebo větší a výstupním proudu 1 A nebo větší, s regulací proudu a napětí lepší než 0,1%.
3. 3A228 Spínací zařízení, dále uvedená:
   1. a. Elektronky se studenou katodou (včetně plynových 'krytronů' a vakuových 'sprytronů'), plněné či neplněné plynem, provozované podobně jako jiskřiště, obsahující tři nebo více elektrod a mající všechny tyto charakteristiky:
      1. 1. Špičkové anodové napětí 2500 V nebo více;
      2. 2. Špičkový anodový proud, 100 A nebo více; a zároveň
      3. 3. Anodové zpoždění 10 mikrosekund nebo menší;
   1. b. Spouštěcí jiskřiště mající anodové zpoždění 15 mikrosekund nebo méně a špičkový proud 500 A nebo větší;
   2. c. Moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí mající všechny následující charakteristiky:
      1. 1. Špičkové anodové napětí větši než 2000 V;
      2. 2. Špičkový anodový proud 500 A nebo větší; a zároveň
      3. 3. Spínací čas 1 mikrosekunda nebo menší.

1. 3A229 Odpalovací zařízení a ekvivalentní vysokoproudé pulsní generátory (pro řízené rozněcovače):
   1. (Viz též Seznam vojenského materiálu)
   2. a. Explozivní rozbuškové odpalovací systémy konstruované pro řízení vícenásobných rozbušek zahrnutých pod položkou 3A232;
   3. b. Modulární elektrické pulsní generátory konstruované pro použití přenosné, mobilní nebo ve ztížených podmínkách (včetně budičů pro xenonové výbojky) mající všechny tyto charakteristiky:
      1. 1. Schopnost předat svou energii v méně než 15 mikrosekundách;
      2. 2. Mající výstup o více než 100 A;
      3. 3. Mající náběhový čas menší než 10 mikrosekund při zatížení menším než 40 ohmů (náběhový čas je definován jako časový interval od 10 % do 90 % proudové amplitudy při odporovém zatížení);
      4. 4. Uzavřeny v prachotěsném obalu;
      5. 5. Žádný rozměr nepřesahuje 254 mm;
      6. 6. Hmotnost menší než 25 kg; a zároveň
      7. 7. Určeny pro použití v rozšířeném teplotním intervalu [223 K až 373 K (-50 °C až 100 °C)] nebo určeny jako vhodné pro letecké a kosmické použití.

1. 3A230 Vysokorychlostní pulsní generátory s výstupním napětím větším než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 ohmů a pulsním přechodovým časem nižším než 500 pikosekund.
2. Technická poznámka:

Pro položku 3A230 je pulsní přechodový čas definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.

1. 3A231 Neutronové generátorové systémy, včetně trubic, konstruované pro provoz bez vnějšího vakuového systému a využívající elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce.
2. 3A232 Rozněcovače a vícebodové rozbuškové systémy:
   1. (Viz též Seznam vojenského materiálu)
   2. a. Elektricky řízené rozněcovače:
      1. 1. Výbušný můstek ('EB');
      2. 2. Výbušný můstkový drát ('EBW');
      3. 3. Nárazové rozbušky;
      4. 4. Výbušné fóliové rozbušky ('EFI');
   1. b. Systémy využívající jednoduché nebo násobné rozbušky konstruované k téměř současné iniciaci výbušného povrchu (více než 5000 mm²) na základě jednoho signálu k odpálení (s iniciačním časováním, šířícím se povrchem za méně než 2,5 mikrosekund).
3. Poznámka:

Tato položka nezahrnuje rozbušky používající pouze primární výbušné látky, jako je azid olovnatý.

4. Technická poznámka:

Všechny uvedené rozbušky používají drobné elektrické vodiče (můstky, můstkové dráty nebo fólie), které se explozivně odpařují, když jimi projde rychlý elektrický impuls o vysokém proudu. V nenárazových typech výbušný vodič nastartuje chemickou detonaci při dotyku s vysoce explozivní látkou jako je pentaerytritoltetranitrát ('PETN'). V nárazových rozbuškách explozivní odpařování elektrického vodiče přirazí nárazník přes mezeru a dopad nárazu nastartuje chemickou detonaci. Nárazník je v některých typech spouštěn magnetickou silou. Termín výbušná fólie může označovat jak rozbušku 'EB', tak nárazovou.

1. 3A233 Hmotnostní spektrometry, jiné než uvedené v položce 0B002.9., schopné měřit ionty o atomové hmotnosti 230 nebo vyšší a mající rozlišovací schopnost lepší než 2 částice při 230, a jejich iontové zdroje:
   1. a. Plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou ('ICP/MS');
   2. b. Hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem ('GDMS');
   3. c. Hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací ('TIMS');
   4. d. Hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají komoru zdroje zhotovenou z materiálu odolného proti působení UF₆ nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou;
   5. e. Hmotnostní spektrometry s molekulovým paprskem, které mají:
      1. 1. Komoru zdroje zhotovenou z nerezové oceli nebo molybdenu a mají vymrazovací kapsu schopnou ochlazení na 193 K (-80 °C) nebo nižší; nebo
      2. 2. Komoru zdroje zhotovenou z materiálu odolného proti působení UF₆ nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou;
   1. f. Hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem zkonstruované pro použití s aktinidy nebo fluoridy aktinidů.

3B ZKUŠEBNÍ, KONTROLNÍ A VÝROBNÍ ZAŘÍZENÍ

1. 3B001 Dále uvedená zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:
   1. a. Zařízení pro epitaxiální růst krystalů "řízená uloženým programem":
      1. 1. Schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky lepší než ± 2,5 % v rozsahu vzdáleností 75 mm nebo více;
      2. 2. Reaktory pro chemickou depozici z par organokovů ('MOCVD') speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály kontrolovanými položkou 3C003 nebo 3C004;
      3. 3. Zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných zdrojů ('MBE');
   1. b. Zařízeni "řízená uloženým programem" určená pro iontovou implantaci, mající některou z těchto charakteristik:
      1. 1. Urychlující napětí větší než 200 keV;
      2. 2. Speciálně určená a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí méně než 10 keV;
      3. 3. Schopnost přímého zápisu; nebo
      4. 4. Schopná implantace kyslíku při vysokých energiích do zahřáté "podložky" z polovodičového materiálu.
   1. c. Plazmatická zařízení pro anizotropní leptání za sucha "řízená uloženým programem", dále uvedená:
      1. 1. S provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně ('load-locks'), která mají některou z těchto charakteristik:
         1. a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo
         2. b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci ('ECR');
      1. 2. Speciálně konstruovaná pro zařízení kontrolovaná položkou 3B001.c., a současně mající některou z těchto charakteristik:
         1. a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo
         2. b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci ('ECR');
   1. d. Zařízení pro chemické nanášení v parní fázi ('CVD') za podpory plazmatu "řízená uloženým programem":
      1. 1. S provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně ('load-locks'), a současně mající některou z těchto charakteristik:
         1. a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo
         2. b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci ('ECR');
      1. 2. Speciálně konstruovaná pro zařízení kontrolovaná položkou 3B001.c., a současné mající některou z těchto charakteristik:
         1. a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo
         2. b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci ('ECR');
   1. e. Vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním, "řízené uloženým programem", které mají všechny tyto charakteristiky:
      1. 1. Prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů; a zároveň
      2. 2. Jsou konstruovány jako integrovaný systém do vakuového prostředí pro sekvenční zpracování mnoha plátků;
   2. Poznámka:

   Položka 3B001.e. nekontroluje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro činnost ve vakuovém prostředí.

   1. f. Litografická zařízení "řízená uloženým programem":
      1. 1. Krokovací zařízení pro nastavování a exponování destiček polovodičů za použití foto-optických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto charakteristik:
         1. a. Vlnovou délku světelného zdroje kratší než 400 nm;
         2. b. Jsou schopna exponovat obrazce s rozlišením pod 0,7 mikrometru, kde rozlišení je dáno vzorcem:

         kde značí:

         1. MRF   rozměr nejmenšího rozlišitelného prvku;
         2. lambda vlnová délka expozičního světelného zdroje v mikrometrech;
         3. K faktor o hodnotě 0,7;
         4. na číselná apertura;
      1. 2. Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo "laserového" paprsku, která mají některou z těchto charakteristik:
         1. a. Stopu paprsku menší než 0,2 mikrometru;
         2. b. Jsou schopna vytvořit obrazec s velikostí prvku menší než 1 mikrometr; nebo
      1. 3. Mají přesnost překrytí lepší než ± 0,20 mikrometru (3 sigma);
   1. g. Masky nebo optické mřížky konstruované pro integrované obvody kontrolované položkou 3A001;
   2. h. Vícevrstvé masky s vrstvou působící fázový posun.

1. 3B002 Zkušební zařízení "řízená uloženým programem", speciálně konstruovaná pro zkoušení polovodičových součástek a nezapouzdřených čipů:
   1. a. Pro zkoušeni S-parametrů tranzistorových součástek při kmitočtech větších než 31 GHz; nebo
   2. b. Pro zkoušení integrovaných obvodů, která jsou schopna provádět funkční zkoušení podle pravdivostní tabulky při rychlosti testovacích vzorků větší než 60 MHz;
   3. Poznámka:

   Položka 3B002.b. nekontroluje zkušební zařízení speciálně konstruovaná pro zkoušení:

   1. 1. "Elektronických sestav" nebo "řad" obvodů pro aplikace ve spotřební elektronice nebo zařízeních pro zábavu;
   2. 2. Nekontrolovaných elektronických součástek, "elektronických sestav" nebo integrovaných obvodů.
   1. c. Pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů při kmitočtech větších než 3 GHz;
   2. Poznámka:

   Položka 3B002.c. nekontroluje zkušební zařízení speciálně konstruovaná pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů pracujících jenom ve standardních civilních telekomunikačních pásmech při kmitočtech nepřesahujících 31 GHz.

   1. d. Systémy s elektronovým svazkem konstruované pro činnost při max. 3 keV, nebo systémy s "laserovým" paprskem, pro bezdotykové zkoušení polovodičových součástek s připojeným napájením, které mají obě tyto charakteristiky:
      1. 1. Funkci na základě stroboskopického jevu při klíčování paprsku nebo detektoru; a zároveň
      2. 2. Elektronový spektrometr pro měření napětí s rozlišením menším než 0,5 V.
   2. Poznámka:

   Položka 3B002.d. kontroluje pouze takové řádkovací elektronové mikroskopy, které jsou speciálně konstruovány a přístrojově vybaveny pro bezdotykové zkoušení polovodičových součástek s připojeným napájením.

3C MATERIÁLY

1. 3C001 Heteroepitaxní materiály sestávající z "podložky" s více na sobě uspořádanými epitaxně narostlými vrstvami z:
   1. a. Křemíku;
   2. b. Germania; nebo
   3. c. Sloučenin galia nebo india typu III/V.
   4. Technická poznámka:

   Sloučeniny typu III/V jsou polykrystalické nebo binární nebo komplexní monokrystalické produkty sestávající z prvků skupin IIIA a VA Mendělejevovy periodické tabulky (arzenid galia, arzenid galito-hlinitý, fosfid india, atd.).

1. 3C002 Materiály rezistů a "podložky" pokryté kontrolovanými rezisty:
   1. a. Pozitivní rezisty pro polovodičovou litografii optimalizované pro použití s vlnovou délkou expozičního světla pod 370 nm;
   2. b. Všechny rezisty pro použití s elektronovými paprsky nebo iontovými paprsky, o citlivosti 0,01 mikrocoulombu/mm² a lepší;
   3. c. Všechny rezisty pro použití s rentgenovými paprsky, o citlivosti 2,5 mJ/mm² nebo lepší;
   4. d. Všechny rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu, včetně silylátovaných rezistů.
2. Technická poznámka:

Silylačni techniky jsou definovány jako procesy používajici oxidaci povrchu rezistu ke zlepšení vlastností jak při suchém, tak při mokrém vyvolávání.

1. 3C003 Organo-anorganické sloučeniny:
   1. a. Organo-kovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (vztaženo na kov) lepší než 99,999 %;
   2. b. Organické sloučeniny arzénu, antimonu a fosforu o čistotě (vztaženo na anorganickou složku) lepší než 99,999 %.
2. Poznámka:

Položka 3C003 kontroluje jen ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.

1. 3C004 Hydridy fosforu, arzénu nebo antimonu, které mají čistotu lepší než 99,999 %, případně zředěné v inertních plynech nebo vodíku.
2. Poznámka:

Položka 3C004 nekontroluje hydridy, které obsahují 20 molárních procent nebo více inertních plynů nebo vodíku.

3D SOFTWARE

1. 3D001 "Software" speciálně určený pro "vývoj", nebo "výrobu" zařízení kontrolovaných položkami 3A001.b. až 3A002.g. nebo 3B.
2. 3D002 "Software" speciálně určený pro "použití" v zařízeních "řízených uloženým programem" kontrolovaných položkami 3B.
3. 3D003 "Software" pro počítačem zpracované konstrukce ('CAD') topografií polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů, který má některou z těchto charakteristik:
   1. a. Zahrnuje návrhová pravidla nebo pravidla pro ověřování obvodů;
   2. b. Provádí simulaci fyzikálního uspořádání obvodů; nebo
   3. c. Obsahuje simulátory litografického zpracování pro návrh;
   4. Technická poznámka:

   Simulátor litografického zpracování je sada programů používaná ve fázi návrhu pro definování sledu litografických, leptacích a depozičních kroků, jež transformují obrazce masek do specifických topografických obrazců ve vodičích, dielektrických nebo polovodičových materiálech.

4. Poznámka:

Položka 3D003 nekontroluje "software" speciálně určený pro vstup schémat, logickou simulaci, rozmísťování a propojování, verifikaci návrhu nebo generaci pásky obrazců.

5. Věcná poznámka:

Knihovny programů, návrhové atributy nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se pokládají za "technologii".

1. 3D101 "Software" speciálně určený pro "použití" zařízení uvedeného v položce 3A101.b..

3E TECHNOLOGIE

1. 3E001 "Technologie" potřebná pro "vývoj" nebo "výrobu" zařízení nebo materiálů, kontrolovaných podle odstavců 3A, 3B, nebo 3C.
2. Poznámka:

Položka 3E001 nekontroluje "technologie" pro "vývoj" nebo " výrobu":

1. a. Mikrovlnných tranzistorů, pracujících při kmitočtech pod 31 GHz;
2. b. Integrovaných obvodů kontrolovaných podle položek 3A001.a.3. až 3A001.a.12., které mají obě tyto charakteristiky:
   1. 1. Používají technologii s rozlišením 1 mikrometr nebo větším; a zároveň
   2. 2. Nemají vícevrstvé struktury.
   3. Věcná poznámka:

   Pojem vícevrstvé struktury v poznámce b.2. u položky 3E001 se nevztahuje na součástky s nejvýše dvěma kovovými vrstvami a nejvýše dvěma vrstvami z polykrystalického křemíku.

1. 3E002 Jiné "technologie" pro "vývoj" nebo "výrobu":
   1. a. Vakuových mikroelektronických součástek;
   2. b. Heterostrukturnich polovodičových součástek, jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů ('HEMT'), heteropřechodové bipolární tranzistory ('HBT'), součástky se supermřížkami nebo součástky využívající kvantových jevů ('quantum welľ, např. kvantové 'dráty' či kvantové 'tečky');
   3. c. Supravodivé elektronické součástky;
   4. d. Podložky z diamantových vrstev pro elektronické součástky.

1. 3E101 "Technologie" potřebná pro "použití" zařízení nebo "software", uvedených v položkách 3A001.a.1., 3A001.a.2., 3A101 nebo 3D101.
2. 3E102 "Technologie" potřebná pro "vývoj" "software", uvedeného v položce 3D101.
3. 3E201 "Technologie" potřebná pro "použití" zařízení, uvedených v položkách 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.e.5., 3A201, 3A202, 3A225 až 3A231.

KATEGORIE 4 - POČÍTAČE

Počítače, jejich příslušenství nebo "software", vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce "lokálních sítí" ('LAN'), se musí také hodnotit podle charakteristik výkonu v Kategorii 5, (Část 1 Telekomunikace).

Počitače, jejich příslušenství nebo "software" vykonávající šifrovací funkce, kryptoanalytické funkce, funkce zajišťující víceúrovňové zabezpečení nebo funkce zabezpečující izolaci uživatele, nebo které omezují elektromagnetickou kompatibilitu ('EMC'), se musí rovněž vyhodnocovat podle charakteristik v Kategorii 5 (Část 2 - Bezpečnost informací.

4A ZAŘÍZENÍ, MONTÁŽNÍ CELKY A KOMPONENTY

1. 4A001 Elektronické počítače a jejich příslušenství uvedené dále, jejich "elektronické sestavy" a speciálně konstruované součásti:
   1. (Viz též položka 4A101)
   2. a. Speciálně konstruované tak, aby měly některou z těchto charakteristik:
      1. 1. Určené pro práci při okolní teplotě pod 228 K (-45 °C) nebo nad 358 K (+85 °C); nebo
      2. Poznámka:

      Položka 4A001.a.1. neplatí pro počítače speciálně konstruované pro aplikace v civilních automobilech a vlacích.

      1. 2. Jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:
         1. a. Celková radiační dávka 5000 grayů (Si) [5 x 10⁵ rad (Si)]);
         2. b. Narušení při rychlosti dávky 5 MGy/s (Si) [5 x 10⁸ rad/s (Si)]; nebo
         3. c. Narušení způsobené jednorázovým dějem 1 x 10^-7 chyb/bit/den;
   1. b. Mají charakteristiky nebo vykonávají funkce, které přesahují meze uvedené v Kategorii 5, (Část 2 - Bezpečnost informací).

1. 4A002 "Hybridní počítače", uvedené dále, a jejich "elektronické sestavy" a speciálně konstruované součásti:
   1. (Viz též položka 4A102)
   2. a. Obsahující "číslicové počítače" kontrolované položkou 4A003;
   3. b. Obsahující analogové číslicové nebo číslicově analogové převodníky, které mají obě tyto charakteristiky:
      1. 1. 32 kanálů nebo vice; a zároveň
      2. 2. Rozlišení 14 bitů (plus znaménkový bit) nebo větší s převodní rychlostí 200 000 převodů za sekundu nebo více.

1. 4A003 "Číslicové počítače", "elektronické sestavy", jejich příslušenství a speciálně pro ně konstruované součásti:
2. Poznámky:
1. 1. Položka 4A003 zahrnuje také:
   1. a. vektorové procesory;
   2. b. procesorová pole;
   3. c. komunikační procesory;
   4. d. logické procesory;
   5. e. zařízení pro "zlepšení obrazu";
   6. f. zařízení pro "zpracování signálů".
1. 2. "Číslicové počítače" nebo jejich příslušenství, popsané v položce 4A003, podléhají kontrole jako jiná zařízení nebo systémy při splnění všech těchto předpokladů:
   1. a. "Číslicové počítače" nebo jejich příslušenství jsou nezbytně nutné pro provoz těchto jiných zařízení nebo systémů;
   2. b. "Číslicové počítače" nebo jejich příslušenství nejsou "hlavním prvkem" těchto jiných zařízení nebo systémů.
   3. Věcné poznámky:
   1. 1. Zařízení pro "zpracování signálů" nebo "zlepšení obrazu", speciálně určená pro jiná zařízení s funkcemi omezenými na funkce vyžadované pro tato jiná zařízení, podléhají kontrole jako tato jiná zařízení, i když se přestupuje kritérium "hlavního prvku".
   2. 2. "Číslicové počítače" nebo jejich příslušenství pro vybavení telekomunikací viz Kategorii 5, (Část 1 Telekomunikace).
   1. c. "Technologie" pro "číslicové počítače" a jejich příslušenství je uvedena v odstavci 4E.
1. a. Konstruované nebo upravené pro "poruchovou odolnost";
2. Poznámka:

Pro účely položky 4A003.a. se "číslicové počítače" nebo jejich příslušenství nepokládají za konstruované nebo upravené z hlediska "poruchové odolnosti" (tolerance na chyby), pokud používají:

1. 1. Algoritmy detekce nebo korekce chyby v "hlavní paměti";
2. 2. Propojení dvou "číslicových počítačů" takové, že v případě selhání aktivní základní jednotky ('CPU'), může rezervní, ale zrcadlově pracující základní jednotka dále pokračovat v řízení funkcí systému;
3. 3. Propojení dvou základních jednotek datovými kanály nebo použitím sdílené paměti, které dovoluje první základní jednotce provádět jinou práci po dobu, dokud druhá základní jednotka neselže, v kterémžto okamžiku první základní jednotka převezme řízení funkcí systému; nebo
4. 4. Synchronizaci dvou základních jednotek pomocí "software" tak, aby první základní jednotka rozpoznala selhání druhé základní jednotky a převzala její úkoly.
1. b. "Číslicové počítače", které mají "složený teoretický výkon" ('CTP') přesahující 710 milionů složených teoretických operací za sekundu ( 'Mtops');
2. c. "Elektronické sestavy" speciálně konstruované nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací "výpočetních prvků" ('CE') takové, že "složený teoretický výkon" agregátu přesahuje mez podle položky 4A003.b.;
3. Poznámky:
1. 1. Položka 4A003.c. se týká jen takových "elektronických sestav" a programovatelných propojení, která nepřestupují meze uvedené v 4A003.b., když se dodávají jako nezabudované "elektronické sestavy". Netýká se "elektronických sestav" vnitřně omezených svou konstrukcí pro použití jako příslušenství pro zařízení kontrolovaná položkou 4A003.d., 4A003.e. nebo 4A003. f..
2. 2. Položka 4A003.c. nekontroluje žádnou "elektronickou sestavu" speciálně konstruovanou pro nějaký výrobek nebo skupinu výrobků, jejichž maximální konfigurace nepřestupuje meze, které jsou uvedeny v položce 4A003. b..
1. d. Grafické akcelerátory nebo grafické koprocesory s "rychlostí třírozměrových vektorů" přes 3 000 000;
2. e. Zařízení provádějící analogové číslicové nebo číslicově analogové převody, které přestupují meze uvedené v položce 3A001.a.5.;
3. f. "Zařízení obsahující terminálová rozhraní", přestupující meze uvedené v položce 5A001.b.3.;
4. Poznámka:

Pro účely položky 4A003.f. zahrnují "zařízení obsahující terminálová rozhraní" rozhraní "lokálních sítí", modemy a zařízení pro jiná komunikační rozhraní. Rozhraní "lokálních sítí" se hodnotí jako "řadiče přístupu do sítě".

1. g. Zařízení speciálně navržená tak, že umožňují externí propojení "číslicových počítačů" nebo připojených zařízení při přenosových rychlostech dat nad 80 MByte/s.
2. Poznámka:

Položka 4A003.g. nekontroluje vnitřní propojovací zařízení (t.j. propojovací desky, sběrnice) nebo pasivní propojovací zařízení.

1. 4A004 Počítače uvedené dále a jejich speciálně navržené příslušenství, "elektronické sestavy" a součásti:
   1. a. "Systolické počítače";
   2. b. "Neuronové počítače";
   3. c. "Optické počítače".

1. 4A101 Analogové počítače, "číslicové počítače" nebo digitální diferenční analyzátory, jiné než uvedené v položce 4A001.a.1., které jsou vybaveny pro práci ve ztížených podmínkách nebo pro použití v systémech podle položek 9A004 nebo 9A104.
2. 4A102 "Hybridní počítače" speciálně navržené pro modelování, simulaci nebo návrhovou integraci systémů v položkách 9A004 nebo 9A104.
3. Poznámka:

Tato kontrola se provede pouze v případě, že zboží je dodáváno spolu se "software" podle položek 7D103 nebo 9D103.

4B ZKUŠEBNÍ, KONTROLNÍ A VÝROBNÍ ZAŘÍZENÍ

1. (Žádné)

4C MATERIÁLY

1. (Žádné)

4D SOFTWARE

1. 4D001 "Software" speciálně určený nebo upravený pro "vývoj", "výrobu" nebo "použití" zařízení, materiálů nebo "software" uvedený v položkách 4A001 až 4A004 nebo v odstavci 4D.
2. 4D002 "Software" speciálně určený nebo modifikovaný pro podporu "technologie" uvedené v dstavci 4E,
3. 4D003 Specifický "software":
   1. a. "Software" operačních systémů, nástroje pro vývoj "software" a překladače speciálně navržené pro zařízení na "zpracování vícenásobného toku dat" ve "zdrojovém kódu";
   2. b. "Expertní systémy" nebo "software" pro inferenční stroje "expertních systémů", poskytující současně:
      1. 1. Časově závislá pravidla; a zároveň
      2. 2. Zákonitosti pro manipulaci s časovými charakteristikami pravidel a faktů;
   1. c. "Software", který má charakteristiky nebo vykonává funkce přesahující meze v Kategorii 5, (Část 2 - Bezpečnost informací);
   2. d. Operační systémy speciálně navržené pro zařízení se "zpracováním v reálném čase", které zaručují "celkovou čekací dobu přerušení" menší než 20 mikrosekund.

4E TECHNOLOGIE

1. 4E001 "Technologie" potřebná pro "vývoj", "výrobu" nebo "použití" zařízení nebo “software“ uvedených v odstavcích 4A nebo 4D.
   1. Technická poznámka ke Kategorii 4:

   "SLOŽENÝ TEORETICKÝ VÝKON" ('CTP')

   1. Zkratky používané v této Technické poznámce:
      1. 'CE' výpočetní prvek (typicky aritmetickologická jednotka)
      2. 'FP' pohyblivá řádová čárka
      3. 'XP' pevná řádová čárka
      4. 'ť doba výpočtu (provádění operací)
      5. 'XOR' logická funkce nonekvivalence
      6. 'CPU' základní (centrální) jednotka
      7. 'TP' teoretický výkon (jednoho 'CE')
      8. 'CTP' složený teoretický výkon (více 'CE')
      9. 'R' efektivní výpočetní rychlost
      10. 'WĽ délka slova
      11. 'L' nastavení délky slova
   2. * násobení

   Doba výpočtu 't' se vyjadřuje v mikrosekundách, 'TP' a 'CTP' se vyjadřuje v 'Mtops' (milionech teoretických operací za sekundu) a 'WL' se vyjadřuje v bitech.

   Shrnutí metod výpočtu 'CTP':

   1. 'CTP' je mírou výpočetního výkonu a určuje se v milionech teoretických operací za sekundu (Mtops). Při výpočtu složeného teoretického výkonu ('CTP') konfigurace výpočetních prvků ('CE') postupujte podle těchto tří kroků:
      1. 1. Vypočítejte efektivní výpočetní rychlost 'R' pro každý výpočetní prvek ('CE');
      2. 2. Použijte nastavení délky slova ('L') k výpočtu efektivní výpočetní rychlosti ('R'), a následně teoretického výkonu ('TP') pro každý výpočetní prvek ('CE').
      3. 3. Je-li těchto výpočetních prvků ('CE') více než jeden, teoretické výkony ('TP') slučte a získáte složený teoretický výkon ('CTP') pro konfiguraci.

      Podrobnosti těchto kroků jsou vysvětleny v následujících odstavcích.

   2. Poznámka 1:

      Pokud je konfigurace více 'CE' taková, že některé z nich sdílejí paměťové subsystémy a další je nesdílejí, provádí se výpočet 'CTP' hierarchicky ve 2 krocích: - za prvé se sdružují skupiny 'CE', které sdílejí paměť, - za druhé se počítá 'CTP' skupin s použitím výpočetní metody pro násobné 'CE', které nesdílejí paměť.

   3. Poznámka 2:

      Výpočetní prvky ('CE'), jejichž funkce je omezena na funkce vstupu/výstupu a periferní funkce (např. řídicí jednotky disků, komunikačních systémů a zobrazovacích jednotek) se nezahrnují do výpočtu 'CTP').

Dále uvedená tabulka ukazuje způsob výpočtu efektivní výpočetní rychlosti ('R') pro každý výpočetní prvek ('CE'):

Krok 1: Efektivní výpočetní rychlost 'R'

Rychlosti je třeba počítat pro všechny podporované délky operandů, uvažujíce jak standardní režim zpracování, tak 'pipeline' (pokud přichází v úvahu) za použití nejrychlejší výkonné instrukce pro každou délku operandu v pořadí:

1. 1. 'Pipelinové' operace a operace registr - registr. Vypusťte extrémně krátké operační časy, které se mohou vyskytnout pro operace na předem určeném operandu nebo předem určených operandech (například násobení nulou nebo 1). Nerealizují-li se žádné operace registr - registr, pokračujte podle bodu (2).
2. 2. Rychlejší z operací registr - paměť nebo paměť - registr; pokud tyto také neexistují, pokračujte podle bodu (3).
3. 3. Paměť - paměť.

V každém případě uvedeném výše použijte nejkratší dobu operace zaručovanou výrobcem.

Krok 2: 'TP' pro každou podporovanou délku operandu 'WL'

1. Nastavte efektivní rychlost R nebo R' pomocí nastavení délky slova L takto:
   TP = R*L, kde L = (1/3 + WL/96)

Délka slova 'WL' použitá v těchto výpočtech je délka operandu v bitech. (Používají-li se operandy o různé délce, vyberte největší délku slova.) Kombinace jednotek pro zpracování mantisy a exponentu u procesoru pracujícího v pohyblivé řádové čárce se považuje pro účely výpočty 'CTP' za jeden 'CE' s délkou slova ('WL') rovnou počtu bitů v datové reprezentaci (typicky 32 nebo 64).

Toto nastavení se neuplatňuje na specializované logické procesory, které nepoužívají instrukce 'XOR'. V tomto případě:

Vyberte maximální výslednou hodnotu 'TP' pro:

1. Každý 'CE' realizující operace pouze s pevnou řádovou čárkou (R_xp);
2. Každý 'CE' realizující operace pouze s pohyblivou řádovou čárkou R_fp);
3. Každý 'CE' realizující kombinaci operací v pohyblivé a pevné řádové čárce (R);
4. Každý jednoduchý logický procesor nevykonávající žádnou ze specifikovaných aritmetických operací; a zároveň
5. Každý speciální logický procesor, nepoužívající žádnou ze specifikovaných aritmetických nebo logických operací.

Krok 3: 'CTP' pro kombinace 'CE' včetně 'CPU'

Pro základní jednotku ('CPU') s jedním výpočetním prvkem ('CE') je:

1. přičemž pro výpočetní prvky vykonávající operace s pohyblivou i pevnou řádovou čárkou je:
   TP = max (TP_fp, TP_xp)

'CTP' pro kombinaci více výpočetních prvků pracujících současně se počítá takto: